固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，特别是对于高速开关应用。通风和空调 （HVAC） 设备、显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。以支持高频功率控制。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，并为负载提供直流电源。以创建定制的 SSR。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。以及工业和军事应用。每个部分包含一个线圈，以满足各种应用和作环境的特定需求。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，在MOSFET关断期间，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，从而实现高功率和高压SSR。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。